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半导体材料

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201380061381.8
申请日：
2013-10-02
公开(公告)号：
CN104813441A
公开(公告)日：
2015-07-29
发明(设计)人：
门诺·卡珀斯 朱丹丹
申请人：
申请人地址：
英国普利茅斯
IPC主分类号：
H01L2102
IPC分类号：
代理机构：
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240
代理人：
张英;宫传芝
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2015-11-11 实质审查的生效 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101632904001 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2013800613818 申请日:20131002
2015-07-29 公开 公开
2018-07-03 授权 授权
共 50 条
[1]
半导体材料及层叠半导体材料 [P]. 
福原干夫 ;
桥田俊之 ;
横塚知典 .
日本专利 :CN118923231A ,2024-11-08
[2]
半导体材料 [P]. 
野口隆 ;
池田裕司 .
中国专利 :CN1127754C ,1999-07-21
[3]
半导体材料以及采用该半导体材料的半导体元件 [P]. 
柳田裕昭 ;
川副博司 ;
折田政宽 .
中国专利 :CN1918716A ,2007-02-21
[4]
检查半导体材料的设备和方法 [P]. 
P·加斯塔尔多 ;
V·勒吉 .
中国专利 :CN104094388A ,2014-10-08
[5]
半导体材料及半导体装置 [P]. 
山崎舜平 ;
三本菅正太 ;
山根靖正 ;
远藤佑太 ;
奥野直树 .
日本专利 :CN111373515B ,2024-03-05
[6]
半导体材料及半导体装置 [P]. 
山崎舜平 ;
三本菅正太 ;
山根靖正 ;
远藤佑太 ;
奥野直树 .
中国专利 :CN111373515A ,2020-07-03
[7]
半导体材料及半导体装置 [P]. 
国武宽司 ;
长塚修平 .
日本专利 :CN111742408B ,2024-05-28
[8]
半导体材料及半导体装置 [P]. 
国武宽司 ;
长塚修平 .
中国专利 :CN111742408A ,2020-10-02
[9]
半导体材料和形成半导体材料的方法 [P]. 
D·奇丹巴尔拉奥 ;
O·H·多库马奇 ;
O·格卢斯陈克夫 ;
朱慧珑 .
中国专利 :CN100388415C ,2005-12-07
[10]
半导体用密封材料 [P]. 
二田完 ;
佐藤和也 .
中国专利 :CN109415493B ,2019-03-01
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