多孔半导体材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN94194956.7

申请日：

1994-11-17

公开(公告)号：

CN1142875A

公开(公告)日：

1997-02-12

发明(设计)人：

L·T·坎汉姆

申请人：

申请人地址：

英国汉普郡

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

杜有文;萧掬昌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1997-02-12	公开	公开
1997-02-26	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2005-01-12	专利权的视为放弃	专利权的视为放弃

共 50 条

[1]

由多孔半导体材料隔离的半导体装置结构 [P].

M·阿布-卡里尔 ;

S·M·尚克 ;

S·麦克塔格特 ;

A·瓦莱特 ;

R·克里什纳萨米 ;

M·莱登-努弗 .

美国专利 :CN117690928A ,2024-03-12

[2]

多孔和纳米多孔半导体材料及其制造 [P].

布伦丹·德里克·史密斯 ;

杰弗里·C·格罗斯曼 .

美国专利 :CN111937120B ,2025-09-05

[3]

多孔和纳米多孔半导体材料及其制造 [P].

布伦丹·德里克·史密斯 ;

杰弗里·C·格罗斯曼 .

中国专利 :CN111937120A ,2020-11-13

[4]

纳米多孔半导体材料及其制造 [P].

杰弗里·格罗斯曼 ;

布伦丹·德里克·史密斯 ;

亚廷·贾耶什·帕蒂尔 ;

尼古拉·费尔拉利什 .

中国专利 :CN109072451A ,2018-12-21

[5]

包括邻近隔离结构的多孔半导体材料的半导体器件 [P].

S·M·潘迪 ;

R·克里希纳萨米 .

美国专利 :CN118380469A ,2024-07-23

[6]

半导体材料及层叠半导体材料 [P].

福原干夫 ;

桥田俊之 ;

横塚知典 .

日本专利 :CN118923231A ,2024-11-08

[7]

半导体材料 [P].

野口隆 ;

池田裕司 .

中国专利 :CN1127754C ,1999-07-21

[8]

半导体材料 [P].

门诺·卡珀斯 ;

朱丹丹 .

中国专利 :CN104813441A ,2015-07-29

[9]

半导体材料以及采用该半导体材料的半导体元件 [P].

柳田裕昭 ;

川副博司 ;

折田政宽 .

中国专利 :CN1918716A ,2007-02-21

[10]

半导体材料及半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

三本菅正太 ;

山根靖正 ;

远藤佑太 ;

奥野直树 .

日本专利 :CN111373515B ,2024-03-05

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