一种半导体器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410680068.2

申请日：

2024-05-29

公开(公告)号：

CN118522636B

公开(公告)日：

2025-11-21

发明(设计)人：

张安邦

申请人：

上海新微半导体有限公司

申请人地址：

200120 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区飞渡路2020号

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H01L21/28 H10D64/23 H10D30/47

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-09-06	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/335申请日:20240529
2025-11-21	授权	授权
2024-08-20	公开	公开

共 50 条

[1]

一种半导体器件及其制作方法 [P].

张安邦 .

中国专利 :CN118522636A ,2024-08-20

[2]

半导体器件及其制作方法 [P].

杜小琴 ;

蔡建成 ;

庄二鹏 ;

林昭维 ;

颜逸飞 ;

陈辉煌 .

中国专利 :CN117936458A ,2024-04-26

[3]

半导体器件及其制作方法 [P].

马欢 ;

房玉川 ;

吴志浩 .

中国专利 :CN117712143A ,2024-03-15

[4]

半导体器件及其制作方法 [P].

王津洲 .

中国专利 :CN101211970B ,2008-07-02

[5]

半导体器件及其制作方法 [P].

林崇荣 ;

刘家慎 ;

温文华 .

中国专利 :CN117497539A ,2024-02-02

[6]

半导体器件及其制作方法 [P].

骆志炯 ;

尹海洲 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102543746A ,2012-07-04

[7]

半导体器件及其制作方法 [P].

李倩 ;

伍术 ;

肖亮 .

中国专利 :CN114005836A ,2022-02-01

[8]

半导体器件及其制作方法 [P].

黄晨 ;

蔡孟峯 .

中国专利 :CN114141641A ,2022-03-04

[9]

半导体器件及其制作方法 [P].

骆志炯 ;

朱慧珑 ;

尹海洲 .

中国专利 :CN102592966B ,2012-07-18

[10]

半导体器件及其制作方法 [P].

约瑟夫·俄依恩扎 .

中国专利 :CN102867857A ,2013-01-09

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