具有平移屏蔽结构的微机电光学遮蔽件及其制造工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211511741.7

申请日：

2022-11-29

公开(公告)号：

CN116199178B

公开(公告)日：

2025-11-18

发明(设计)人：

F·韦尔切西 N·博尼 F·塞利尼 L·奎利诺尼

申请人：

意法半导体股份有限公司

申请人地址：

意大利阿格拉布里安扎

IPC主分类号：

B81B3/00

IPC分类号：

B81B7/02 B81C1/00

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

丁君军

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-18	授权	授权

共 50 条

[1]

微机电光学开关及其制造方法 [P].

N·张 .

中国专利 :CN1370284A ,2002-09-18

[2]

具有可移动结构的微机电设备及其制造工艺 [P].

S·克斯坦蒂尼 ;

M·卡米纳蒂 ;

D·A·L·加蒂 ;

L·M·卡斯托尔迪 ;

R·卡尔米纳蒂 .

中国专利 :CN108249387A ,2018-07-06

[3]

光学微机电设备及其制造工艺 [P].

L·塞吉齐 ;

N·博尼 ;

L·奥吉欧尼 ;

R·卡尔米纳蒂 ;

M·卡米纳蒂 .

:CN113003533B ,2025-12-16

[4]

微机电光学显示元件的制造方法 [P].

李嘉盛 ;

林汉涂 ;

翁嘉璠 .

中国专利 :CN1651332A ,2005-08-10

[5]

微机电系统及其制造工艺 [P].

尤安·詹姆斯·博伊德 ;

科林·罗伯特·詹金斯 .

中国专利 :CN114644319A ,2022-06-21

[6]

微机电系统及其制造工艺 [P].

尤安·詹姆斯·博伊德 ;

科林·罗伯特·詹金斯 .

中国专利 :CN114644319B ,2025-02-28

[7]

具有掩埋的导电区域的微机电器件及其制造工艺 [P].

R·坎佩代利 ;

R·佩祖托 ;

S·洛萨 ;

M·曼托瓦尼 ;

M·阿兹佩提亚乌尔奎亚 .

中国专利 :CN103917482B ,2014-07-09

[8]

具有改善电特性的薄膜压电微机电结构及相应的制造工艺 [P].

D·朱斯蒂 ;

I·马蒂尼 ;

D·阿斯萨内利 ;

P·费拉里尼 ;

C·L·佩瑞里尼 ;

F·夸利亚 .

中国专利 :CN114314494A ,2022-04-12

[9]

具有改进特性的压电微机电声学换能器及对应的制造工艺 [P].

F·塞利尼 ;

S·阿多尔诺 .

中国专利 :CN112004181B ,2020-11-27

[10]

用于制造具有室的微机电器件的工艺以及微机电器件 [P].

F·韦尔切西 ;

G·阿勒加托 ;

L·科索 ;

M·阿兹佩蒂亚·尤尔奎亚 ;

M·加拉瓦利亚 .

:CN120157083A ,2025-06-17

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