半导体结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511010491.2

申请日：

2025-07-22

公开(公告)号：

CN120529632B

公开(公告)日：

2025-10-24

发明(设计)人：

孙亚楠崔卫刚石亮

申请人：

杭州富芯半导体有限公司

申请人地址：

311418 浙江省杭州市富阳区灵桥镇滨富大道135号（滨富合作区）

IPC主分类号：

H10D84/01

IPC分类号：

H10D84/80

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

黄盼

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

浙江省杭州市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-09	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/01申请日:20250722
2025-10-24	授权	授权
2025-08-22	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其制备方法 [P].

孙亚楠 ;

崔卫刚 ;

石亮 .

中国专利 :CN120529632A ,2025-08-22

[2]

半导体结构及其制备方法 [P].

田志 ;

梁启超 ;

邵华 ;

陈昊瑜 .

中国专利 :CN112397518B ,2024-02-27

[3]

半导体结构及其制备方法 [P].

田志 ;

梁启超 ;

邵华 ;

陈昊瑜 .

中国专利 :CN112397518A ,2021-02-23

[4]

半导体结构及其制备方法 [P].

廖黎明 ;

仇峰 ;

张蔷 ;

张炜虎 .

中国专利 :CN115458398A ,2022-12-09

[5]

半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P].

张旭 ;

储郁冬 ;

陆琦 ;

赵天楚 .

中国专利 :CN118866807A ,2024-10-29

[6]

半导体结构及其制备方法、半导体装置 [P].

潘俊波 ;

梁添 ;

张雯 .

中国专利 :CN115116968A ,2022-09-27

[7]

半导体结构及其制备方法、半导体装置 [P].

潘俊波 ;

梁添 ;

张雯 .

中国专利 :CN115116967A ,2022-09-27

[8]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

杨蒙蒙 ;

白杰 .

中国专利 :CN114765107A ,2022-07-19

[9]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

张俊 ;

崔鹿鸣 ;

钱利森 .

中国专利 :CN115050701A ,2022-09-13

[10]

半导体结构及其制备方法、半导体布局版图、MOS器件 [P].

宋聪强 ;

施平 .

中国专利 :CN119545891B ,2025-04-22

← 1 2 3 4 5 →