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蚀刻装置
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202422654709.5
申请日
:
2024-11-01
公开(公告)号
:
CN223652453U
公开(公告)日
:
2025-12-09
发明(设计)人
:
蔡照辉
杨东
夏凡星
李鸿
李翔宇
申请人
:
友达光电(昆山)有限公司
友达光电股份有限公司
申请人地址
:
215300 江苏省苏州市昆山市经济技术开发区龙腾路6号
IPC主分类号
:
H05K3/06
IPC分类号
:
H05K13/00
F28D15/00
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
授权
国省代码
:
安徽省 宣城市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-12-09
授权
授权
共 50 条
[1]
蚀刻槽局部蚀刻装置
[P].
陈杰兵
论文数:
0
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0
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0
陈杰兵
.
中国专利
:CN213818401U
,2021-07-27
[2]
蚀刻装置和蚀刻设备
[P].
何正鸿
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机构:
甬矽半导体(宁波)有限公司
甬矽半导体(宁波)有限公司
何正鸿
;
韩新
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机构:
甬矽半导体(宁波)有限公司
甬矽半导体(宁波)有限公司
韩新
;
张成
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机构:
甬矽半导体(宁波)有限公司
甬矽半导体(宁波)有限公司
张成
;
田旭
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机构:
甬矽半导体(宁波)有限公司
甬矽半导体(宁波)有限公司
田旭
.
中国专利
:CN223638323U
,2025-12-05
[3]
蚀刻装置和蚀刻设备
[P].
何正鸿
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机构:
甬矽半导体(宁波)有限公司
甬矽半导体(宁波)有限公司
何正鸿
;
韩新
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机构:
甬矽半导体(宁波)有限公司
甬矽半导体(宁波)有限公司
韩新
;
陶毅
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机构:
甬矽半导体(宁波)有限公司
甬矽半导体(宁波)有限公司
陶毅
;
田旭
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机构:
甬矽半导体(宁波)有限公司
甬矽半导体(宁波)有限公司
田旭
.
中国专利
:CN223273214U
,2025-08-26
[4]
蚀刻设备及其蚀刻装置
[P].
苏骞
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苏骞
;
刘全胜
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刘全胜
;
金永哲
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金永哲
;
乌磊
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乌磊
;
孟敏
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孟敏
.
中国专利
:CN205881882U
,2017-01-11
[5]
蚀刻装置
[P].
林帅
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林帅
;
苏财钰
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苏财钰
;
张涛
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张涛
;
张彬彬
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张彬彬
;
苟先华
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苟先华
.
中国专利
:CN212934549U
,2021-04-09
[6]
蚀刻装置
[P].
蔡照辉
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机构:
友达光电(昆山)有限公司
友达光电(昆山)有限公司
蔡照辉
;
杨东
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机构:
友达光电(昆山)有限公司
友达光电(昆山)有限公司
杨东
;
李鸿
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机构:
友达光电(昆山)有限公司
友达光电(昆山)有限公司
李鸿
;
夏凡星
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机构:
友达光电(昆山)有限公司
友达光电(昆山)有限公司
夏凡星
;
李翔宇
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机构:
友达光电(昆山)有限公司
友达光电(昆山)有限公司
李翔宇
.
中国专利
:CN223092818U
,2025-07-11
[7]
蚀刻装置
[P].
廖文晟
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廖文晟
.
中国专利
:CN206541089U
,2017-10-03
[8]
蚀刻装置
[P].
李婷
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李婷
;
逯正旺
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逯正旺
;
赵学军
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赵学军
.
中国专利
:CN212924808U
,2021-04-09
[9]
蚀刻装置
[P].
杨勇
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杨勇
;
杜亮
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杜亮
;
李强
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李强
.
中国专利
:CN202205723U
,2012-04-25
[10]
蚀刻装置
[P].
薛强
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薛强
;
麦永业
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麦永业
;
刘世振
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刘世振
;
刘家桦
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刘家桦
;
叶日铨
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叶日铨
.
中国专利
:CN209133470U
,2019-07-19
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