一种基于GaN基外延的红光LED制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310709748.8

申请日：

2021-08-13

公开(公告)号：

CN116845147B

公开(公告)日：

2025-12-09

发明(设计)人：

张帆

申请人：

福建兆元光电有限公司

申请人地址：

350000 福建省福州市闽侯县南屿镇生物医药和机电产业园区

IPC主分类号：

H10H20/01

IPC分类号：

H10H20/815 H10H20/821 H10H20/841 H10H20/851 H10H20/825 H10H20/84

代理机构：

福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214

代理人：

董晗

法律状态：

授权

国省代码：

福建省福州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-09	授权	授权

共 50 条

[1]

一种红光LED芯片及其制造方法 [P].

张帆 ;

张婷芳 ;

齐佳鹏 .

中国专利 :CN113644169A ,2021-11-12

[2]

GaN基LED外延片 [P].

刘波 ;

尹甲运 ;

白欣娇 ;

袁凤坡 ;

王波 ;

潘鹏 ;

汪灵 ;

周晓龙 ;

王静辉 .

中国专利 :CN205264741U ,2016-05-25

[3]

GaN基LED外延片 [P].

肖怀曙 ;

谢春林 .

中国专利 :CN203491288U ,2014-03-19

[4]

一种氮化镓基红光外延片结构及其制备方法 [P].

周毅 ;

张青洲 ;

黄国栋 ;

杨顺贵 ;

翟小林 .

中国专利 :CN113451461B ,2021-09-28

[5]

一种GaN基LED外延片 [P].

吴明驰 .

中国专利 :CN203932094U ,2014-11-05

[6]

一种GaN基LED外延片 [P].

陈飞 .

中国专利 :CN203434181U ,2014-02-12

[7]

GaN基绿光LED外延片及其制备方法、LED [P].

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117239025B ,2024-02-20

[8]

一种GaN基LED外延片的制备方法 [P].

陈振 .

中国专利 :CN104253179A ,2014-12-31

[9]

一种级联GaN基LED外延片及其制备方法 [P].

肖志国 ;

李倩影 ;

武胜利 ;

杨天鹏 ;

唐勇 ;

孙英博 ;

薛念亮 .

中国专利 :CN103022286A ,2013-04-03

[10]

红光LED外延片、LED外延片的分割方法及LED外延片结构 [P].

刘召军 ;

吴国才 ;

莫炜静 ;

于海娇 .

中国专利 :CN110970538B ,2020-04-07

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