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一种PVT法生长碳化硅单晶的装置及碳化硅单晶生长方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202511565634.6
申请日：
2025-10-30
公开(公告)号：
CN121023630A
公开(公告)日：
2025-11-28
发明(设计)人：
高冰 黄寅迪
申请人：
浙江晶越半导体有限公司
申请人地址：
312400 浙江省绍兴市嵊州市浦口街道浦南大道368号9号厂房二楼202室
IPC主分类号：
C30B23/00
IPC分类号：
C30B29/36
代理机构：
浙江金杜智源知识产权代理有限公司 33511
代理人：
葛天祥
法律状态：
公开
国省代码：
浙江省 绍兴市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-11-28 公开 公开
2025-12-16 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C30B 23/00申请日:20251030
共 50 条
[1]
碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶生长方法 [P]. 
王海涛 ;
乔帅帅 .
中国专利 :CN120384329A ,2025-07-29
[2]
一种碳化硅单晶生长方法及碳化硅单晶 [P]. 
谢雪健 ;
王兴龙 ;
徐现刚 ;
陈秀芳 ;
胡小波 .
中国专利 :CN115573030A ,2023-01-06
[3]
一种碳化硅单晶生长方法及碳化硅单晶 [P]. 
谢雪健 ;
王兴龙 ;
徐现刚 ;
陈秀芳 ;
胡小波 .
中国专利 :CN115573030B ,2025-03-07
[4]
一种碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶的生长方法 [P]. 
薛卫明 ;
马远 ;
潘尧波 .
中国专利 :CN111748844A ,2020-10-09
[5]
用于碳化硅单晶生长的蜂窝坩埚及碳化硅单晶生长方法 [P]. 
任卫国 ;
姬丽云 ;
谢雪健 ;
李树强 ;
王雨雷 ;
李云通 ;
姬长来 ;
纪秋环 .
中国专利 :CN120273021A ,2025-07-08
[6]
碳化硅单晶生长装置及制造碳化硅单晶的方法 [P]. 
徐良 ;
蓝文安 ;
占俊杰 ;
阳明益 ;
刘建哲 ;
余雅俊 .
中国专利 :CN110331437B ,2019-10-15
[7]
碳化硅单晶生长装置 [P]. 
伍艳 ;
周亮亮 ;
叶磊 ;
王震威 ;
高玉强 .
中国专利 :CN222594075U ,2025-03-11
[8]
碳化硅单晶生长装置 [P]. 
徐良 ;
蓝文安 ;
占俊杰 ;
阳明益 ;
刘建哲 ;
余雅俊 .
中国专利 :CN210856410U ,2020-06-26
[9]
碳化硅单晶的生长方法 [P]. 
刘东峰 ;
郑向光 ;
田越 ;
杨昆 ;
刘新辉 ;
路亚娟 ;
牛晓龙 ;
陈飒 ;
刘谦 ;
闫猛 ;
李扬 .
中国专利 :CN118064966A ,2024-05-24
[10]
碳化硅单晶的生长方法、碳化硅单晶、坩埚和生长系统 [P]. 
陈小龙 ;
王国宾 ;
郭建刚 ;
李辉 ;
王文军 ;
盛达 .
中国专利 :CN116288647B ,2025-08-26
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