SOI晶圆结构的制备方法及SOI晶圆结构

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202511340075.9
申请日
2025-09-18
公开(公告)号
CN121076005A
公开(公告)日
2025-12-05
发明(设计)人
陈光华 程勇 彭坤
申请人
广州增芯科技有限公司
申请人地址
511356 广东省广州市增城区宁西街创优路333号
IPC主分类号
H01L21/762
IPC分类号
代理机构
上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙) 31343
代理人
陈成
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
SOI晶圆结构的制备方法及SOI晶圆结构 [P]. 
陈光华 ;
程勇 ;
彭坤 .
中国专利 :CN121076006A ,2025-12-05
[2]
SOI晶圆的制造方法及SOI晶圆 [P]. 
横川功 .
日本专利 :CN116057666B ,2025-10-17
[3]
SOI晶圆的处理方法及SOI晶圆 [P]. 
汪子文 ;
冯英华 ;
魏星 ;
李炜 .
中国专利 :CN119584638A ,2025-03-07
[4]
SOI晶圆研磨抛光方法及SOI晶圆 [P]. 
汪子文 ;
高巍 ;
魏星 ;
李炜 .
中国专利 :CN119480633A ,2025-02-18
[5]
SOI晶圆的制造方法以及SOI晶圆 [P]. 
小林德弘 ;
横川功 ;
阿贺浩司 .
中国专利 :CN104956464A ,2015-09-30
[6]
SOI晶圆及SOI晶圆中TSV的制作方法 [P]. 
彭虎 ;
黄安东 .
中国专利 :CN115274548B ,2025-11-04
[7]
贴合SOI晶圆的制造方法及贴合SOI晶圆 [P]. 
今井俊和 ;
吉田和彦 ;
二井谷美保 ;
若林大士 ;
石川修 .
中国专利 :CN112262455A ,2021-01-22
[8]
贴合SOI晶圆的制造方法及贴合SOI晶圆 [P]. 
今井俊和 ;
吉田和彦 ;
二井谷美保 ;
若林大士 ;
石川修 .
日本专利 :CN112262455B ,2024-08-16
[9]
SOI晶圆及其制备方法 [P]. 
汪子文 ;
周雨浩 ;
魏星 ;
李炜 .
中国专利 :CN119584639A ,2025-03-07
[10]
贴合式SOI晶圆的制造方法及贴合式SOI晶圆 [P]. 
目黑贤二 ;
若林大士 ;
小林德弘 .
中国专利 :CN106233426B ,2016-12-14