纳米线晶体管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110101854.9

申请日：

2021-01-26

公开(公告)号：

CN114792682B

公开(公告)日：

2025-12-09

发明(设计)人：

谢柏光蔡世鸿洪庆文林俊贤

申请人：

联华电子股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H10D84/83

IPC分类号：

H10D84/85 H10D30/60 H10D30/01

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陈小雯

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-09	授权	授权

共 50 条

[1]

纳米线晶体管及其制作方法 [P].

谢柏光 ;

蔡世鸿 ;

洪庆文 ;

林俊贤 .

中国专利 :CN114792682A ,2022-07-26

[2]

纳米线晶体管及其制作方法 [P].

许峰 ;

高滨 ;

李辛毅 ;

吴华强 ;

钱鹤 .

中国专利 :CN108598170B ,2018-09-28

[3]

堆叠纳米线MOS晶体管及其制作方法 [P].

殷华湘 ;

马小龙 ;

徐唯佳 ;

徐秋霞 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN104282559A ,2015-01-14

[4]

准纳米线晶体管及其制造方法 [P].

朱慧珑 ;

梁擎擎 ;

尹海洲 ;

骆志炯 .

中国专利 :CN103779226A ,2014-05-07

[5]

纳米线晶体管元件及其制作方法 [P].

冯立伟 ;

蔡世鸿 ;

洪世芳 ;

林昭宏 ;

郑志祥 .

中国专利 :CN105895688B ,2016-08-24

[6]

纳米线晶体管及其制备方法 [P].

唐粕人 .

中国专利 :CN109755290B ,2019-05-14

[7]

纳米线晶体管及其制造方法 [P].

赵世华 ;

李飙 ;

王峥 ;

胡宏伟 ;

吕广申 ;

任真真 .

中国专利 :CN105489654A ,2016-04-13

[8]

纳米线晶体管及其制备方法 [P].

唐粕人 .

中国专利 :CN109755312A ,2019-05-14

[9]

晶体管及其制作方法 [P].

吴志浩 .

中国专利 :CN117373920A ,2024-01-09

[10]

晶体管及其制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN102479709A ,2012-05-30

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