用于MicroLED色转换层的高分辨量子点光刻胶及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511665780.6

申请日：

2025-11-13

公开(公告)号：

CN121187078A

公开(公告)日：

2025-12-23

发明(设计)人：

刘泽栖陈斌斌李荣生

申请人：

威海恒烁光科新材料有限公司

申请人地址：

264599 山东省威海市乳山市城区街道商业街38号112铺

IPC主分类号：

G03F7/004

IPC分类号：

G03F7/027

代理机构：

重庆立川知识产权代理事务所(普通合伙) 50285

代理人：

王亚珍

法律状态：

公开

国省代码：

河南省郑州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-23	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高分辨负性光刻胶及其制备方法和应用 [P].

卞玉桂 ;

顾后荻 ;

张志强 ;

杨彦 ;

安杨翔 ;

陆晓健 ;

张兵 ;

向文胜 ;

赵建龙 ;

徐栋 .

中国专利 :CN117406550A ,2024-01-16

[2]

一种量子点光刻胶及其制备方法 [P].

岳春波 ;

宋志成 ;

刘振国 .

中国专利 :CN106957645B ,2017-07-18

[3]

量子点光刻胶及其制备方法、显示器 [P].

丁斌 ;

庄瑞荣 ;

庄瑞睦 .

中国专利 :CN121142909A ,2025-12-16

[4]

一种用于高分辨像元制造的量子点光刻胶 [P].

曾海波 ;

相恒阳 ;

张坤 ;

单青松 ;

张爱迪 .

中国专利 :CN118795731B ,2024-12-03

[5]

一种用于高分辨像元制造的量子点光刻胶 [P].

曾海波 ;

相恒阳 ;

张坤 ;

单青松 ;

张爱迪 .

中国专利 :CN118795731A ,2024-10-18

[6]

纳米压印光刻胶及其制备方法 [P].

陈廷忠 ;

周兴 ;

王兆民 .

中国专利 :CN119024644B ,2025-10-28

[7]

纳米压印光刻胶及其制备方法 [P].

陈廷忠 ;

周兴 ;

王兆民 .

中国专利 :CN119024644A ,2024-11-26

[8]

正性光刻胶、光刻胶层及其制备方法、光刻工艺 [P].

王晓伟 .

中国专利 :CN114460810A ,2022-05-10

[9]

一种厚胶正性光刻胶、光刻胶层及其制备方法 [P].

相可创 ;

岳爽 ;

吴京玮 .

中国专利 :CN117784524A ,2024-03-29

[10]

一种量子点光刻胶的制备及其使用方法 [P].

宋婷 ;

田冰 ;

赵炜珍 ;

刘力菲 ;

刘康 ;

李贵东 ;

梁晨虹 ;

宋涛 .

中国专利 :CN120315250A ,2025-07-15

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