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半导体结构制备方法及半导体结构

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202511632353.8
申请日：
2025-11-10
公开(公告)号：
CN121126843A
公开(公告)日：
2025-12-12
发明(设计)人：
潘海燕 明玉坤 廖学海 遇鑫遥
申请人：
安徽大学 合肥晶合集成电路股份有限公司
申请人地址：
230601 安徽省合肥市蜀山区九龙路111号
IPC主分类号：
H10D64/01
IPC分类号：
H10D64/66
代理机构：
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人：
杨明莉
法律状态：
公开
国省代码：
天津市 市辖区
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-12-12 公开 公开
2025-12-30 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 64/01申请日:20251110
共 50 条
[1]
半导体结构制备方法及半导体结构 [P]. 
白龙刚 ;
于良成 ;
张松涛 ;
苏朋 ;
杨国文 .
中国专利 :CN112509917A ,2021-03-16
[2]
半导体结构、半导体器件及半导体结构的制备方法 [P]. 
刘洋浩 ;
徐朋辉 ;
尹国旭 ;
刘涛 ;
薛鹍 ;
王宁 .
中国专利 :CN121194461A ,2025-12-23
[3]
半导体结构的制备方法及半导体结构 [P]. 
李蒙 .
中国专利 :CN115799028B ,2025-12-05
[4]
半导体结构的制备方法及半导体结构 [P]. 
于业笑 ;
刘忠明 .
中国专利 :CN115346925A ,2022-11-15
[5]
半导体结构制备方法及半导体结构 [P]. 
刘宇 ;
岳丹诚 ;
张耀辉 .
中国专利 :CN118299332A ,2024-07-05
[6]
制备半导体结构的方法、半导体结构及半导体器件 [P]. 
杨国文 ;
惠利省 .
中国专利 :CN114783869A ,2022-07-22
[7]
半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P]. 
吴恒 ;
卢浩然 ;
刘煜 ;
葛延栋 ;
王润声 ;
黎明 ;
黄如 .
中国专利 :CN118039565A ,2024-05-14
[8]
半导体结构、半导体器件及半导体结构的制备方法 [P]. 
吴保润 ;
刘忠明 ;
杨孝东 .
中国专利 :CN118159023A ,2024-06-07
[9]
半导体结构的制备方法及半导体结构 [P]. 
姜琪 ;
叶蕾 ;
杨凯 ;
黄永彬 .
中国专利 :CN118315342A ,2024-07-09
[10]
半导体结构的制备方法及半导体结构 [P]. 
王子健 ;
李望 ;
李玉堂 ;
陈铭 ;
陈时杰 .
中国专利 :CN120916455A ,2025-11-07
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