基于单晶定向生长提纯金属铟的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511398197.3

申请日：

2025-09-28

公开(公告)号：

CN121228343A

公开(公告)日：

2025-12-30

发明(设计)人：

车玉思刘苗唐慧敏张环何季麟

申请人：

郑州大学

申请人地址：

450001 河南省郑州市高新技术开发区科学大道100号

IPC主分类号：

C30B13/00

IPC分类号：

C30B13/14 C30B27/00 C30B29/02 C22B58/00

代理机构：

北京卫智易创专利代理事务所(普通合伙) 16015

代理人：

朱春野

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-30	公开	公开

共 50 条

[1]

多晶硅的定向生长方法 [P].

廖燕平 ;

邵喜斌 ;

邝俊峰 ;

荆海 ;

付国柱 ;

骆文生 ;

郜峰利 ;

缪国庆 .

中国专利 :CN1546744A ,2004-11-17

[2]

一种半水石膏单晶定向生长的控制方法 [P].

董发勤 ;

谭宏斌 ;

吴传龙 ;

何花 ;

贺小春 .

中国专利 :CN105624772A ,2016-06-01

[3]

可控磷化铟单晶生长装置及生长方法 [P].

朱建华 ;

钟勇 ;

曾平生 ;

王坚 ;

刘芳芳 ;

吴选高 ;

刘重伟 ;

彭彦 ;

黄大霜 .

中国专利 :CN117568915A ,2024-02-20

[4]

基于双层坩埚的磷化铟单晶生长方法 [P].

邵广育 ;

卜英瀚 ;

胡昌勇 .

中国专利 :CN117702275A ,2024-03-15

[5]

基于双层坩埚的磷化铟单晶生长方法 [P].

邵广育 ;

卜英瀚 ;

胡昌勇 .

中国专利 :CN117702275B ,2024-04-19

[6]

砷化铟单晶的生长方法 [P].

李康 ;

苏湛 ;

狄聚青 .

中国专利 :CN119753840A ,2025-04-04

[7]

一种磷化铟单晶的生长装置及其生长方法 [P].

卢鹏荐 ;

曾小龙 ;

张林 ;

袁珊珊 .

中国专利 :CN118854457A ,2024-10-29

[8]

单晶生长的方法、装置及单晶体 [P].

王双丽 ;

陈俊宏 .

中国专利 :CN113549997B ,2021-10-26

[9]

一种磷化铟单晶生长的恒压恒流保护气装置及磷化铟单晶生长的方法 [P].

柯尊斌 ;

乔印彬 ;

罗福敏 ;

王卿伟 .

中国专利 :CN112899785B ,2024-08-23

[10]

一种磷化铟单晶生长的恒压恒流保护气装置及磷化铟单晶生长的方法 [P].

柯尊斌 ;

乔印彬 ;

罗福敏 ;

王卿伟 .

中国专利 :CN112899785A ,2021-06-04

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