マイクロメトリック強磁性体を含む触媒アセンブリ及び不均一系触媒反応のための前記アセンブリの使用[ja]

被引：0

申请号：

JP20220517500

申请日：

2020-09-18

公开(公告)号：

JP7781054B2

公开(公告)日：

2025-12-05

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

B01J23/83

IPC分类号：

B01J23/755 B01J35/40 B01J35/56 C10L3/08

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共 13 条

[1]

マイクロメトリック強磁性体を含む触媒アセンブリ及び不均一系触媒反応のための前記アセンブリの使用[ja] [P].

日本专利 :JP2022549603A ,2022-11-28

[2]

磁気ランダムアクセスメモリ及びその動作方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2007040189A1 ,2009-04-16

[3]

磁気誘導によって加熱された強磁性体を用いた不均一系触媒作用の方法及び前記方法に用いる触媒用の担体[ja] [P].

日本专利 :JP7771050B2 ,2025-11-17

[4]

磁気誘導によって加熱された強磁性体を用いた不均一系触媒作用の方法及び前記方法に用いる触媒用の担体[ja] [P].

日本专利 :JP2022548714A ,2022-11-21

[5]

軸受を冷却するための内部換気を伴う電磁軸受アセンブリ[ja] [P].

日本专利 :JP2016522369A ,2016-07-28

[6]

フロントアセンブリスライド構造、制御方法、装置、端末及び記憶媒体[ja] [P].

日本专利 :JP2020530642A ,2020-10-22

[7]

センチネルリンパ節を検出するための熱応答性磁性体ナノ粒子を含む造影剤[ja] [P].

日本专利 :JPWO2008111687A1 ,2010-06-24

[8]

ワイヤレス充電器のペアブロック位置合わせ磁気リング[ja] [P].

日本专利 :JP3235091U ,2021-11-25

[9]

サブミクロン軟磁性微粒子及びその製造方法、並びに、サブミクロン軟磁性微粒子を含む軟磁性体材料及び軟磁性体[ja] [P].

ENDO YASUSHI ;

WAKABAYASHI KAZUSHI .

日本专利 :JP2025035886A ,2025-03-14

[10]

トンネル磁気抵抗効果素子及びそれを用いたランダムアクセスメモリ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010143248A1 ,2012-11-22