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一种碳化硅陶瓷覆铜基板制备方法及结构
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202511522870.X
申请日：
2025-10-23
公开(公告)号：
CN121191991A
公开(公告)日：
2025-12-23
发明(设计)人：
刘敏
何志
申请人：
重庆伟特森电子科技有限公司
无锡锡产微芯半导体有限公司
申请人地址：
400700 重庆市北碚区云汉大道117号附237号
IPC主分类号：
H01L21/48
IPC分类号：
H01L23/15
H01L23/485
代理机构：
重庆西南华渝专利代理有限公司 50270
代理人：
高秋方
法律状态：
公开
国省代码：
江苏省
无锡市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-12-23 | 公开 | 公开 |