リチウム含有強誘電体材料からなる薄いモノドメイン層を調製するためのプロセス[ja]

被引：0

申请号：

JP20250536036

申请日：

2023-12-13

公开(公告)号：

JP2025540430A

公开(公告)日：

2025-12-11

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H10N30/072

IPC分类号：

H10N30/093 H10N30/853

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共 50 条

[1]

強誘電体材料の薄膜を準備するためのプロセス[ja] [P].

日本专利 :JP2024544472A ,2024-12-03

[2]

リチウム含有強誘電体材料で構成されるシングルドメイン薄層の調製方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025526582A ,2025-08-15

[3]

強誘電体材料の薄い層を準備する方法[ja] [P].

ALEXIS DROUIN ;

ISABELLE HUYET ;

MORGANE LOGIOU .

日本专利 :JP2025019339A ,2025-02-06

[4]

強誘電体材料の薄い層を準備する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022528388A ,2022-06-10

[5]

アルカリ金属に基づく強誘電体材料の薄層を作製するためのプロセス[ja] [P].

日本专利 :JP2021515989A ,2021-06-24

[6]

アルカリ金属に基づく強誘電体材料の薄層を作製するためのプロセス[ja] [P].

日本专利 :JP7344217B2 ,2023-09-13

[7]

イメージングにおいて使用するための誘電体スプリッタ[ja] [P].

日本专利 :JP2025507956A ,2025-03-21

[8]

転写可能薄膜層を製造するためのプロセス[ja] [P].

日本专利 :JP2021502949A ,2021-02-04

[9]

ゲート誘電体を保護するための、モリブデンを含む材料層の使用[ja] [P].

CHANG YOON JUNG ;

ZAFRULLAH JAGOO ;

SRIDHAR GOVINDARAJU .

日本专利 :JP2025054173A ,2025-04-07

[10]

半導体ウェーハを生産するためのプロセス[ja] [P].

日本专利 :JP2021516866A ,2021-07-08

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