強誘電体材料の薄い層を準備する方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20240208588

申请日：

2024-11-29

公开(公告)号：

JP2025019339A

公开(公告)日：

2025-02-06

发明(设计)人：

ALEXIS DROUIN ISABELLE HUYET MORGANE LOGIOU

申请人：

SOYTEC

申请人地址：

IPC主分类号：

H10N30/086

IPC分类号：

H01L21/02 H10N30/853

代理机构：

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法律状态信息

共 50 条

[1]

強誘電体材料の薄い層を準備する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022528388A ,2022-06-10

[2]

強誘電体材料の薄膜を準備するためのプロセス[ja] [P].

日本专利 :JP2024544472A ,2024-12-03

[3]

アルカリ金属に基づく強誘電体材料の薄層を作製するためのプロセス[ja] [P].

日本专利 :JP2021515989A ,2021-06-24

[4]

リチウム含有強誘電体材料からなる薄いモノドメイン層を調製するためのプロセス[ja] [P].

日本专利 :JP2025540430A ,2025-12-11

[5]

強誘電体キャパシタ、強誘電体電界効果トランジスタ、並びに導電材料及び強誘電体材料を含む電子部品の形成に用いられる方法[ja] [P].

日本专利 :JP2018536998A ,2018-12-13

[6]

アルカリ金属に基づく強誘電体材料の薄層を作製するためのプロセス[ja] [P].

日本专利 :JP7344217B2 ,2023-09-13

[7]

誘電体材料を堆積する方法及び装置[ja] [P].

日本专利 :JP7374308B2 ,2023-11-06

[8]

誘電体材料を堆積する方法及び装置[ja] [P].

日本专利 :JP2022549243A ,2022-11-24

[9]

誘電体材料の製造方法[ja] [P].

TACHIKAWA TAKASHI ;

KUMABE YOSHITAKA .

日本专利 :JP2024062834A ,2024-05-10

[10]

強誘電体薄膜、強誘電体薄膜の製造方法、圧電体素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2012063642A1 ,2014-05-12

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