半导体激光元件及光发射装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511203781.9

申请日：

2025-08-26

公开(公告)号：

CN121149783A

公开(公告)日：

2025-12-16

发明(设计)人：

王明广黄少华陶仁春邱若生

申请人：

泉州三安半导体科技有限公司

申请人地址：

362343 福建省泉州市南安市石井镇院前村

IPC主分类号：

H01S5/028

IPC分类号：

代理机构：

厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234

代理人：

朱萍

法律状态：

公开

国省代码：

福建省泉州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-16	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体激光元件及光发射装置 [P].

邱若生 ;

叶涛 ;

陶仁春 ;

黄少华 .

中国专利 :CN120933768A ,2025-11-11

[2]

集成型半导体激光元件、半导体激光组件及光传输系统 [P].

木本龙也 ;

向原智一 .

中国专利 :CN102474069A ,2012-05-23

[3]

半导体激光元件及发光装置 [P].

颜同伟 ;

黄少华 ;

邱若生 ;

张中英 ;

曾建尧 .

中国专利 :CN119070136B ,2025-11-18

[4]

半导体激光元件及发光装置 [P].

颜同伟 ;

黄少华 ;

邱若生 ;

张中英 ;

曾建尧 .

中国专利 :CN119070136A ,2024-12-03

[5]

光半导体元件及集成型半导体激光器 [P].

吉田匡广 ;

铃木理仁 .

中国专利 :CN115039002A ,2022-09-09

[6]

光半导体元件及集成型半导体激光器 [P].

吉田匡广 ;

铃木理仁 .

日本专利 :CN115039002B ,2025-02-14

[7]

光半导体元件 [P].

井上大辅 ;

青山康之祐 .

日本专利 :CN119674704A ,2025-03-21

[8]

光半导体元件 [P].

境野刚 ;

中村直干 ;

奥贯雄一郎 .

中国专利 :CN110431720A ,2019-11-08

[9]

光半导体元件 [P].

中原宏治 ;

工藤真 ;

田中滋久 ;

白井正敬 .

中国专利 :CN100530867C ,2006-07-19

[10]

半导体激光器、光发射组件及光模块 [P].

莫庆伟 ;

陈浩 ;

刘点昊 ;

张杨 .

中国专利 :CN120320158B ,2025-08-22

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