半导体激光元件及光发射装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510990111.X

申请日：

2025-07-17

公开(公告)号：

CN120933768A

公开(公告)日：

2025-11-11

发明(设计)人：

邱若生叶涛陶仁春黄少华

申请人：

泉州三安半导体科技有限公司

申请人地址：

362343 福建省泉州市南安市石井镇院前村

IPC主分类号：

H01S5/30

IPC分类号：

H01S5/028 H01S5/024

代理机构：

厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234

代理人：

朱萍

法律状态：

公开

国省代码：

福建省泉州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-11	公开	公开
2025-11-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01S 5/30申请日:20250717

共 50 条

[1]

半导体激光元件及光发射装置 [P].

王明广 ;

黄少华 ;

陶仁春 ;

邱若生 .

中国专利 :CN121149783A ,2025-12-16

[2]

半导体激光装置及半导体激光元件 [P].

松本晃广 .

中国专利 :CN1972045A ,2007-05-30

[3]

半导体激光元件及半导体激光元件的制造方法 [P].

伊藤友树 ;

平谷拓生 .

中国专利 :CN112713502A ,2021-04-27

[4]

半导体激光元件、半导体激光装置及使用其的光装置 [P].

龟山真吾 ;

祐川博至 .

中国专利 :CN102403652A ,2012-04-04

[5]

半导体激光元件及半导体激光元件阵列 [P].

王浟 ;

宫岛博文 ;

渡边明佳 ;

菅博文 .

中国专利 :CN101019284A ,2007-08-15

[6]

半导体激光元件及发光装置 [P].

颜同伟 ;

黄少华 ;

邱若生 ;

张中英 ;

曾建尧 .

中国专利 :CN119070136B ,2025-11-18

[7]

半导体激光元件及发光装置 [P].

颜同伟 ;

黄少华 ;

邱若生 ;

张中英 ;

曾建尧 .

中国专利 :CN119070136A ,2024-12-03

[8]

光学元件、半导体激光元件及半导体激光医疗装置 [P].

蔡磊 ;

刘兴胜 .

中国专利 :CN109106445B ,2019-01-01

[9]

半导体激光元件、集成型半导体激光元件、以及半导体激光元件的制造方法 [P].

小林刚 .

中国专利 :CN105075038A ,2015-11-18

[10]

半导体激光装置以及半导体激光元件 [P].

小野将之 ;

左文字克哉 ;

西川透 ;

浅香浩 ;

西辻充 ;

山田和弥 .

中国专利 :CN113454857A ,2021-09-28

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