Split Gate MOSFET器件及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211003755.8

申请日：

2022-08-22

公开(公告)号：

CN115394854B

公开(公告)日：

2025-12-30

发明(设计)人：

袁力鹏苏毅常虹完颜文娟唐呈前

申请人：

华羿微电子股份有限公司

申请人地址：

710018 陕西省西安市未央区经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号

IPC主分类号：

H10D30/66

IPC分类号：

H10D64/27 H10D30/01

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

黄小雪

法律状态：

授权

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-30	授权	授权

共 50 条

[1]

Split Gate MOSFET器件及制备方法 [P].

袁力鹏 ;

苏毅 ;

常虹 ;

完颜文娟 ;

唐呈前 .

中国专利 :CN115394854A ,2022-11-25

[2]

一种Split-Gate MOSFET器件制备方法 [P].

袁力鹏 ;

苏毅 ;

杨科 ;

常虹 .

中国专利 :CN114121662B ,2022-03-01

[3]

一种屏蔽栅MOSFET器件结构及制备方法 [P].

完颜文娟 ;

杨科 ;

常虹 ;

苏毅 ;

袁力鹏 .

中国专利 :CN115084272B ,2022-09-20

[4]

新型功率MOSFET器件及其制备方法 [P].

徐吉程 ;

袁力鹏 ;

范玮 .

中国专利 :CN109524472A ,2019-03-26

[5]

新型功率MOSFET器件及其制备方法 [P].

徐吉程 ;

袁力鹏 ;

范玮 .

中国专利 :CN109524472B ,2024-07-19

[6]

一种MOSFET器件及制备方法 [P].

袁力鹏 ;

唐呈前 ;

杨科 ;

完颜文娟 ;

常虹 .

中国专利 :CN113764525A ,2021-12-07

[7]

一种MOSFET器件及制备方法 [P].

完颜文娟 ;

袁力鹏 ;

范玮 ;

常虹 .

中国专利 :CN112234103B ,2024-12-10

[8]

一种MOSFET器件及制备方法 [P].

完颜文娟 ;

袁力鹏 ;

范玮 ;

常虹 .

中国专利 :CN112234103A ,2021-01-15

[9]

一种沟槽MOSFET器件及制备方法 [P].

袁力鹏 ;

唐呈前 ;

李生龙 ;

杨科 ;

夏亮 ;

完颜文娟 ;

常虹 .

中国专利 :CN111799332A ,2020-10-20

[10]

一种MOSFET器件终端及制备方法 [P].

袁力鹏 ;

范玮 ;

完颜文娟 ;

常虹 .

中国专利 :CN112201695B ,2024-11-12

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