一种屏蔽栅MOSFET器件结构及制备方法

被引：0

申请号：

CN202211003471.9

申请日：

2022-08-22

公开(公告)号：

CN115084272B

公开(公告)日：

2022-09-20

发明(设计)人：

完颜文娟杨科常虹苏毅袁力鹏

申请人：

申请人地址：

710018 陕西省西安市未央区经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L21336

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

黄小雪

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-24	授权	授权
2022-09-20	公开	公开

共 50 条

[1]

一种屏蔽栅MOSFET的制备方法及屏蔽栅MOSFET [P].

谭键文 ;

马万里 .

中国专利 :CN119947186A ,2025-05-06

[2]

一种屏蔽栅MOSFET器件结构及制备方法 [P].

完颜文娟 ;

袁力鹏 ;

常虹 ;

苏毅 .

中国专利 :CN117276330B ,2024-02-13

[3]

屏蔽栅MOSFET器件及形成方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN119092412A ,2024-12-06

[4]

一种低压屏蔽栅MOSFET器件 [P].

陈雪萌 ;

王艳颖 ;

钱晓霞 ;

汤艺 .

中国专利 :CN215578581U ,2022-01-18

[5]

可调电容的屏蔽栅MOSFET器件 [P].

任敏 ;

骆俊毅 ;

谭键文 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN110890427B ,2020-03-17

[6]

一种带有屏蔽栅结构的沟槽MOSFET器件及制造方法 [P].

涂长招 ;

王力 ;

涂金福 ;

李敏 ;

赖保良 .

中国专利 :CN116666453B ,2025-04-08

[7]

屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法 [P].

胡嘉宁 ;

孙文镇 ;

许晨强 ;

黄子铭 ;

陶欣欣 ;

刘秀勇 .

中国专利 :CN121099634A ,2025-12-09

[8]

Split Gate MOSFET器件及制备方法 [P].

袁力鹏 ;

苏毅 ;

常虹 ;

完颜文娟 ;

唐呈前 .

中国专利 :CN115394854A ,2022-11-25

[9]

Split Gate MOSFET器件及制备方法 [P].

袁力鹏 ;

苏毅 ;

常虹 ;

完颜文娟 ;

唐呈前 .

中国专利 :CN115394854B ,2025-12-30

[10]

屏蔽栅沟槽MOSFET器件的制备方法及屏蔽栅沟槽MOSFET器件 [P].

罗志永 ;

陈敏 ;

欧新华 ;

袁琼 .

中国专利 :CN120751721A ,2025-10-03

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