MOSFET - MEMORY CIRCUITS

被引：20

作者：

TERMAN, LM

机构：

来源：

PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS | 1971年 / 59卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1109/PROC.1971.8333

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1044 / +

页数：1

共 57 条

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