PERFORMANCE OF GAAS-MESFETS ON INP SUBSTRATES

被引：17

作者：

REN, F

HOBSON, WS

PEARTON, SJ

OSTER, LJ

SMITH, PR

机构：

来源：

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1989年 / 10卷 / 08期

关键词：

D O I：

10.1109/55.31766

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：389 / 390

页数：2

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共 5 条

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