A SELF-ALIGNING CONTACT PROCESS FOR MOS-LSI

被引：3

作者：

HOSOYA, T

MURAMOTO, S

MATSUO, S

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1981.20286

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：77 / 82

页数：6

共 8 条

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