A NEW INTRINSIC GETTERING TECHNIQUE USING MICRODEFECTS IN CZOCHRALSKI SILICON CRYSTAL - A NEW DOUBLE PREANNEALING TECHNIQUE

被引：60

作者：

NAGASAWA, K

MATSUSHITA, Y

KISHINO, S

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.91998

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：622 / 624

页数：3

共 8 条

KISHINO, S ;

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