ANOMALOUS DIFFUSION OF NITROGEN IN NITROGEN-IMPLANTED SILICON

被引：28

作者：

HOCKETT, RS ^{[1
]}

机构：

[1] MONSANTO ELECTR MAT CO,ST PETERS,MO 63376

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.101266

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1793 / 1795

页数：3

共 7 条

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