DIFFUSION-COEFFICIENT OF A PAIR OF NITROGEN-ATOMS IN FLOAT-ZONE SILICON

被引：100

作者：

ITOH, T

ABE, T

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.100116

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：39 / 41

页数：3

共 14 条

[1]

Abe T., 1986, Oxygen, Carbon, Hydrogen and Nitrogen in Crystalline Silicon, P537

[2]

Abe T., 1985, VLSI SCI TECHNOLOGY, P543

[3]

ABE T, 1981, SEMICONDUCTOR SILICO, P54

[4]

CLARK AH, 1968, B AM PHYS SOC, V13, P376

[5]

DAVIS D, 1976, J PHYS C, V9, pL537

[6]

DENISOVA NV, 1975, IAN SSSR NEORG MATER, V11, P2236

[7] FORMATION AND NATURE OF SWIRL DEFECTS IN SILICON [J].

FOLL, H ;

KOLBESEN, BO .

APPLIED PHYSICS, 1975, 8 (04) :319-331

MITCHELL, JB ;

PRONKO, PP ;

SHEWCHUN, J ;

THOMPSON, DA ;

DAVIES, JA .

[9]

NOZAKI T, IN PRESS J RADIOANAL

ROKSNOER, PJ ;

VANDENBOOM, MMB .