IONIZED BEAM DOPING IN MOLECULAR-BEAM EPITAXY OF GAAS AND ALXGA1-XAS

被引:20
作者
MATSUNAGA, N
SUZUKI, T
TAKAHASHI, K
机构
关键词
D O I
10.1063/1.324588
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
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页码:5710 / 5713
页数:4
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