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IONIZED BEAM DOPING IN MOLECULAR-BEAM EPITAXY OF GAAS AND ALXGA1-XAS
被引:20
作者
:
MATSUNAGA, N
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0
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0
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0
MATSUNAGA, N
SUZUKI, T
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SUZUKI, T
TAKAHASHI, K
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0
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0
TAKAHASHI, K
机构
:
来源
:
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
|
1978年
/ 49卷
/ 12期
关键词
:
D O I
:
10.1063/1.324588
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
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页码:5710 / 5713
页数:4
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IONIZED ZN DOPING OF GAAS MOLECULAR-BEAM EPITAXIAL-FILMS
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机构:
TOKYO INST TECHNOL,2-12-1 OOKAYAMA,MEGURO,TOKYO,JAPAN
TOKYO INST TECHNOL,2-12-1 OOKAYAMA,MEGURO,TOKYO,JAPAN
NAGANUMA, M
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机构:
TAKAHASHI, K
[J].
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1975,
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NAGANUMA, M
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