A NEW PUNCHTHROUGH CURRENT MODEL BASED ON THE VOLTAGE-DOPING TRANSFORMATION

被引：13

作者：

SKOTNICKI, T ^{[1
]}

MERCKEL, G ^{[1
]}

PEDRON, T ^{[1
]}

机构：

[1] ITE CEMI,WARSAW,POLAND

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/16.3367

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1076 / 1086

页数：11

共 16 条

SKOTNICKI, T ;

MARCINIAK, W .

[12]

SKOTNICKI T, 1985, THESIS I ELECTRON TE

[13] SUB-THRESHOLD CONDUCTION IN MOSFETS [J].

TAYLOR, GW .

TOYABE, T ;

ASAI, S .

[15] VLSI LIMITATIONS FROM DRAIN-INDUCED BARRIER LOWERING [J].

TROUTMAN, RR .

TROUTMAN, RR .