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OXIDATION INHIBITING PROPERTIES OF SI3N4-LAYERS PRODUCED BY ION-IMPLANTATION
被引:23
作者
:
RAMIN, M
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0
RAMIN, M
RYSSEL, H
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RYSSEL, H
KRANZ, H
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KRANZ, H
机构
:
来源
:
APPLIED PHYSICS
|
1980年
/ 22卷
/ 04期
关键词
:
D O I
:
10.1007/BF00901063
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
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页码:393 / 397
页数:5
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共 13 条
[11]
TOKUYAMA T, 1977, ION IMPLANTATION SEM, P519
[12]
SILICON PLANAR DEVICES USING NITROGEN ION-IMPLANTATION
[J].
WADA, Y
论文数:
0
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0
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机构:
HITACHI LTD,CENT RES LAB,KOKUBUNJI,TOKYO,JAPAN
WADA, Y
;
ASHIKAWA, M
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机构:
HITACHI LTD,CENT RES LAB,KOKUBUNJI,TOKYO,JAPAN
ASHIKAWA, M
.
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1976,
15
(09)
:1725
-1730
[13]
FORMATION OF SIO2 FILMS BY OXYGEN-ION BOMBARDMENT
[J].
WATANABE, M
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WATANABE, M
;
TOOI, A
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TOOI, A
.
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1966,
5
(08)
:737
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[11]
TOKUYAMA T, 1977, ION IMPLANTATION SEM, P519
[12]
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[J].
WADA, Y
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机构:
HITACHI LTD,CENT RES LAB,KOKUBUNJI,TOKYO,JAPAN
WADA, Y
;
ASHIKAWA, M
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机构:
HITACHI LTD,CENT RES LAB,KOKUBUNJI,TOKYO,JAPAN
ASHIKAWA, M
.
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1976,
15
(09)
:1725
-1730
[13]
FORMATION OF SIO2 FILMS BY OXYGEN-ION BOMBARDMENT
[J].
WATANABE, M
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WATANABE, M
;
TOOI, A
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TOOI, A
.
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1966,
5
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