SPECTROSCOPIC ANALYSIS OF THE INTERFACE BETWEEN SI AND ITS THERMALLY GROWN OXIDE

被引:227
作者
ASPNES, DE [1 ]
THEETEN, JB [1 ]
机构
[1] LABS ELECTR & PHYS APPL,F-94450 LIMEIL BREVANNES,FRANCE
关键词
D O I
10.1149/1.2129899
中图分类号
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
081704 ;
摘要
引用
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页码:1359 / 1365
页数:7
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