SILICON EPITAXY BY PULSED LASER ANNEALING OF EVAPORATED AMORPHOUS FILMS

被引：17

作者：

HOONHOUT, D

KERKDIJK, CB

SARIS, FW

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0375-9601(78)90021-X

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：145 / 146

页数：2

共 6 条

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