DAMAGE-FREE REACTIVE ION ETCHING OF GAAS-FET GATE RECESS

被引：5

作者：

HILTON, KP

WOODWARD, J

DAWSEY, JR

BALL, G

GILL, SS

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19891083

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1617 / 1618

页数：2

共 6 条

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