RAPID THERMAL ANNEAL INDUCED EFFECTS IN POLYCRYSTALLINE SILICON GATE STRUCTURES

被引：17

作者：

KAMGAR, A

HILLENIUS, SJ

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.98695

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1251 / 1253

页数：3

共 9 条

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