IMPROVED MEASUREMENT OF DOPING PROFILES IN SILICON USING CV TECHNIQUES

被引：10

作者：

MCGILLIVRAY, IG ^{[1
]}

ROBERTSON, JM ^{[1
]}

WALTON, AJ ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV EDINBURGH,DEPT ELECT ENGN,EDINBURGH MICROFABRICAT FACIL,KINGS BLDG,EDINBURGH EH9 3JL,MIDLOTHIAN,SCOTLAND

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/16.2437

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：174 / 179

页数：6

共 19 条

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