PHOTOELECTRIC MEMORY EFFECT IN GAAS

被引：303

作者：

VINCENT, G ^{[1
]}

BOIS, D ^{[1
]}

CHANTRE, A ^{[1
]}

机构：

[1] CTR NATL ETUD TELECOMMUN,CTR NORBERT SEGARD,F-38240 MEYLAN,FRANCE

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1982年 / 53卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1063/1.331147

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：3643 / 3649

页数：7

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