PLANARIZATION BY 2-RESIST LEVEL

被引：4

作者：

CRAPELLA, S

GUALANDRIS, F

机构：

[1] SGS Microelettronica SpA, Milan, Italy, SGS Microelettronica SpA, Milan, Italy

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2095714

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

INTEGRATED CIRCUIT MANUFACTURE

引用

页码：683 / 685

页数：3

共 6 条

BASSOUS, E ;

EPHRATH, LM ;

PEPPER, G ;

MIKALSEN, DJ .

[2]

HATZAKIS M, 1981, SOLID STATE TECHNOL, V24, P74

LIN, BJ ;

BASSOUS, E ;

CHAO, VW ;

PETRILLO, KE .

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY, 1981, 19 (04) :1313-1319

PAMPALONE, TR ;

DIPIAZZA, JJ ;

KANEN, DP .

[5] 2-LAYER PLANARIZATION PROCESS [J].

SCHILTZ, A ;

PONS, M .

[6] PLANARIZATION PROPERTIES OF RESIST AND POLYIMIDE COATINGS [J].

WHITE, LK .