MOS THRESHOLD SHIFTING BY ION-IMPLANTATION

被引:43
作者
SIGMON, TW [1 ]
SWANSON, R [1 ]
机构
[1] HEWLETT PACKARD LABS,PALO ALTO,CA 94304
关键词
D O I
10.1016/0038-1101(73)90077-4
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
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页码:1217 / 1232
页数:16
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