SIMULTANEOUS GETTERING OF AU IN SILICON BY PHOSPHORUS AND DISLOCATIONS

被引：32

作者：

TSENG, WF

KOJI, T

MAYER, JW

机构：

[1] CALTECH,PASADENA,CA 91125

[2] BELL TEL LABS INC,MURRAY HILL,NJ 07974

[3] BELL TEL LABS INC,MURRAY HILL,NJ 07974

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.90371

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：442 / 444

页数：3

共 9 条

[1]

HUFF HR, 1973, SEMICONDUCTOR SILICO

[2]

LAWRENCE JE, 1967, T AIME, V242, P484

MEEK, RL ;

GIBBON, CF .

SCHWETTMANN, FN ;

KENDALL, DL .

[5]

SEIDEL TE, 1973, ION IMPLANTATION SEM, P305

[6]

SEIDEL TE, 1976, DESCRIPTION GETTERIN

[7] DISLOCATION NETWORKS IN PHOSPHORUS-IMPLANTED SILICON [J].

TAMURA, M .

PHILOSOPHICAL MAGAZINE, 1977, 35 (03) :663-691

[8]

TSENG WF, 1977, 3RD INT C ION BEAM A

[9]

Ziegler J. F., 1974, Atomic Data and Nuclear Data Tables, V13, P463, DOI 10.1016/0092-640X(74)90009-6