SINGLE-TRANSISTOR LATCH IN SOI MOSFETS

被引：134

作者：

CHEN, CED ^{[1
]}

MATLOUBIAN, M ^{[1
]}

SUNDARESAN, R ^{[1
]}

MAO, BY ^{[1
]}

WEI, CC ^{[1
]}

POLLACK, GP ^{[1
]}

机构：

[1] TEXAS INSTRUMENTS INC,CTR SEMICOND PROC & DESIGN,DALLAS,TX 75265

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/55.20420

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：636 / 638

页数：3

共 6 条

[1] HYSTERESIS IV EFFECTS IN SHORT-CHANNEL SILICON MOSFETS [J].

BOUDOU, A ;

DOYLE, BS .

DAVIS, JR ;

GLACCUM, AE ;

REESON, K ;

HEMMENT, PLF .

[3]

MAO BY, 1987, IEEE ELECTR DEVICE L, V8, P306

[4]

MATLOUBIAN M, 1987, IN PRESS OCT IEEE SO

[5]

SZE SM, 1981, PHYSICS SEMICONDUCTO, P493

[6] OPERATION OF CMOS DEVICES WITH A FLOATING WELL [J].

ZAPPE, HP ;

GUPTA, RK ;

SAKAI, I ;

HU, CM .