TRANSPORT-PROPERTIES OF PLASMA-DEPOSITED AMORPHOUS-SILICON DIOXIDE

被引：3

作者：

MARIUCCI, L ^{[1
]}

FORTUNATO, G ^{[1
]}

FOGLIETTI, P ^{[1
]}

REITA, C ^{[1
]}

DELLASALA, D ^{[1
]}

机构：

[1] ENIRICERCHE SPA,I-00015 MONTEROTONDO,ITALY

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-3093(89)90381-5

中图分类号：

TQ174 [陶瓷工业]; TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

页码：123 / 125

页数：3

共 5 条

BATEY, J ;

TIERNEY, E .

DRESNER, J .

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 1988, 6 (02) :517-523

[3]

FORTUNATO G, 1989, J NON-CRYST, V115

[4] HIGH-FIELD ELECTRON TRAPPING IN SIO2 [J].

SOLOMON, P .

[5]

SZE SM, 1981, PHYSICS SEMICONDUCTO