SURFACE PROPERTIES OF OXIDIZED GERMANIUM-DOPED SILICON

被引：8

作者：

BALK, P

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2408090

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：494 / &

共 16 条

ARCHER, RJ .

[2]

BALK P, 1965, OCT M EL SOC BUFF

[3]

BALK P, 1965, MAY M EL SOC SAN FRA

[4]

BRANNSTEIN R, 1958, PHYS REV, V109, P695

[5] SI-SIO2 FAST INTERFACE STATE MEASUREMENTS [J].

BROWN, DM ;

GRAY, PV .

[6]

CANINA VG, 1960, CR HEBD ACAD SCI, V250, P1815

[7]

CHOU N, 1967, OCT M EL SOC CHIC

COLLINS, DR ;

SCHRODER, DK ;

SAH, CT .

DEAL, BE ;

SKLAR, M ;

GROVE, AS ;

SNOW, EH .

[10]

FANG F, 1965, SOLID STATE DEVICE R