NATURE OF FIXED OXIDE CHARGE

被引：49

作者：

RAIDER, SI ^{[1
]}

BERMAN, A ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP, DIV SYST PROD, E FISHKILL FACIL, HOPEWELL JUNCTION, NY 12533 USA

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2131513

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：629 / 633

页数：5

共 43 条

[41] OXIDATION OF SILICON - NEW ELECTRON-SPECTROSCOPY RESULTS [J].

ROWE, JE ;

MARGARITONDO, G ;

IBACH, H ;

FROITZHEIM, H .

SAH, CT .

[43] EFFECTS OF HCL AND C-12 ADDITIONS ON SILICON OXIDATION-KINETICS [J].

VANDERMEULEN, YJ ;

CAHILL, JG .