A CONTROLLABLE ETCHANT FOR FABRICATION OF GASB DEVICES

被引：16

作者：

BUGLASS, JG

MCLEAN, TD

PARKER, DG

机构：

[1] GEC Research Ltd, Wembley, Engl, GEC Research Ltd, Wembley, Engl

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2108472

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：2565 / 2567

页数：3

共 8 条

[1] CHEMICAL ETCHING OF GAAS [J].

ADACHI, S ;

OE, K .

[2]

CHIN T, 1985, APPL PHYS LETT, V46, P408

[3]

MCLEAN TD, 1984, I PHYS C SER, V74, P145

[4]

MCLEAN TP, UNPUB

[5] THE EFFECT OF MISMATCH ON THE PERFORMANCE OF GAASSB PHOTO-DIODES [J].

MOON, RL .

OHMORI, Y ;

SUZUKI, Y ;

OKAMOTO, H .

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 1985, 24 (08) :L657-L660

TSANG, WT ;

OLSSON, NA .

[8]

WEAST RC, 1974, HDB PHYSICS CHEM