ACCURATE ANALYSIS OF IMPACT IONIZATION EFFECTS IN SUBMICROMETER MOSFET DEVICES

被引：3

作者：

HWANG, CC

DUTTON, RW

HIGMAN, JM

HESS, K

机构：

[1] STANFORD UNIV,INTEGRATED CIRCUITS LABS,STANFORD,CA 94305

[2] UNIV ILLINOIS,COORDINATED SCI LAB,URBANA,IL 61801

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1987.23319

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：2385 / 2385

页数：1

共 5 条

[1]

PINTO MR, 1986, STANFORD ELECTRONICS

[2] IMPACT IONIZATION OF ELECTRONS IN SILICON (STEADY-STATE) [J].

TANG, JY ;

HESS, K .

[3] AN IMPACT IONIZATION MODEL FOR 2-DIMENSIONAL DEVICE SIMULATION [J].

THURGATE, T ;

CHAN, N .

[4] NUMERICAL-MODEL OF AVALANCHE BREAKDOWN IN MOSFETS [J].

TOYABE, T ;

YAMAGUCHI, K ;

ASAI, S ;

MOCK, MS .

[5] NUMERICAL-SIMULATION OF HOT-ELECTRON PHENOMENA [J].

WATANABE, DS ;

SLAMET, S .