CHARGE RETENTION OF FLOATING-GATE TRANSISTORS UNDER APPLIED BIAS CONDITIONS

被引：14

作者：

WANG, ST ^{[1
]}

机构：

[1] HUGHES AIRCRAFT CO,NEWPORT RES CTR,NEWPORT BEACH,CA

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1980.19856

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：297 / 299

页数：3

共 7 条

[1]

Alexander R. M., 1978, P IEEE IRPS, P229

[2] FAMOS - NEW SEMICONDUCTOR CHARGE STORAGE DEVICE [J].

FROHMANB.D .

[3]

GERBER B, 1979, NVSM WORKSHOP MONTER

[4] ANALYSIS AND EXPERIMENTATION ON FIMOS (N-CHANNEL FAMOS) DEVICES [J].

HAGIWARA, T ;

TAKEDA, E ;

HORIUCHI, M ;

KONDO, R ;

ITOH, Y .

[5]

HARARI E, 1978, ISSCC, P108

HORIUCHI, M ;

KATTO, H .

[7] FOWLER-NORDHEIM TUNNELING INTO THERMALLY GROWN SIO2 [J].

LENZLINGER, M ;

SNOW, EH .