MICROWAVE PERFORMANCE OF PSEUDOMORPHIC RESONANT-TUNNELING HOT-ELECTRON TRANSISTORS AT 77K

被引：3

作者：

IMAURUA, K

MORI, T

OHNISHI, H

MUTO, S

YOKOYAMA, N

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1989年 / 25卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19890025

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：34 / 35

页数：2

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共 3 条

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IMAMURA, K ;

MUTO, S ;

OHNISHI, H ;

FUJII, T ;

YOKOYAMA, N .

ELECTRONICS LETTERS, 1987, 23 (17) :870-871

[2] FLIP-FLOP CIRCUIT USING A RESONANT-TUNNELING HOT-ELECTRON TRANSISTOR (RHET) [J].

YOKOYAMA, N ;

IMAMURA, K .

ELECTRONICS LETTERS, 1986, 22 (23) :1228-1229

[3] A NEW FUNCTIONAL, RESONANT-TUNNELING HOT-ELECTRON TRANSISTOR (RHET) [J].

YOKOYAMA, N ;

IMAMURA, K ;

MUTO, S ;

HIYAMIZU, S ;

NISHI, H .

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 1985, 24 (11) :L853-L853