STRUCTURE AND ANNEALING PROPERTIES OF SILICON-CARBIDE THIN-LAYERS FORMED BY IMPLANTATION OF CARBON-IONS IN SILICON

被引:40
作者
KIMURA, T
KAGIYAMA, S
YUGO, S
机构
关键词
D O I
10.1016/0040-6090(81)90516-2
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
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页数:9
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