LDD MOSFETS USING DISPOSABLE SIDEWALL SPACER TECHNOLOGY

被引：7

作者：

PFIESTER, JR

机构：

[1] Motorola, Austin, TX, USA, Motorola, Austin, TX, USA

来源：

关键词：

DISPOSABLE SIDEWALK SPACER TECHNOLOGY - LDD MOSFET - LIGHTLY-DOPES DRAIN (LDD);

D O I：

10.1109/55.685

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：189 / 192

页数：4

共 4 条

KOYANAGI, M ;

KANEKO, H ;

SHIMIZU, S .

OGURA, S ;

TSANG, PJ ;

WALKER, WW ;

CRITCHLOW, DL ;

SHEPARD, JF .

[3]

PFIESTER JR, UNPUB

TSANG, PJ ;

OGURA, S ;

WALKER, WW ;

SHEPARD, JF ;

CRITCHLOW, DL .