OBSERVATION OF SURFACE DEFECTS IN ELECTROLYTICALLY ETCHED SILICON BY INFRARED MICROSCOPY

被引：7

作者：

BELLIN, PH

ZWICKER, WK

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1660169

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1216 / +

页数：1

共 9 条

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